用于3-12英寸的單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體的線切割。是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)的工程性加工材料。
碳化硅微粉的主要分析檢測方法：
碳化硅微粉中硅的含量決定碳化硅微粉的硬度。 碳化硅微粉的粒徑大小對線切割影響很大， 但重要的是碳化硅微粉的顆粒形狀。因為線切割時碳化硅微粉為游離狀態(tài)切割 顆粒的形狀變化對切割效率及切割質(zhì)量要重要影響。
檢測辦法：硅的含量需要原子吸收檢測。
碳化硅微粉粒徑需要電阻法顆粒分析儀（效率高）。
碳化硅微粉粒型檢測需要瑞思RA200顆粒分析儀.（可以分析顆粒形狀系數(shù) 圓度 較準確）。
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